| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=ИЗЛУЧАТЕЛЬНАЯ РЕКОМБИНАЦИЯ<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/И 88
Заглавие : Исследования новых микроэлектронных приборов и устройств : Вопросы электроники : межвуз. сборник
Выходные данные : Кишинев: Штиинца, 1987
Колич.характеристики :126 с.: ил.; 21см
Коллективы : Кишиневский политехн. ин-т
Цена : 1.20 р.
ГРНТИ : 47.33.37
УДК : 621.382.049.77(082)(06)
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--микроэлектроника--микроэлектронные приборы--микроэлектронные устройства--световые волны--низкочастотные шумы--свойства кристаллов--гетероструктуры--солнечные элементы--тонкие пленки--излучательная рекомбинация--объемные монокристаллы--двухфазные материалы--взаимная диффузия
Аннотация: Представлены результаты исследований микроэлектронных устройств и приборов на основе фосфита индия.Исследованы вопросы оптимизации типовых технологических приемов и процессов,позволяющих получать полупроводниковые приборы и структуры с улучшенными показателями. Значительное внимание уделено вопросам создания автоматизированных систем контроля,ориентированных на входной контроль серийно выпускаемых микроэлектронных устройств.
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537/И 36
Заглавие : Излучательная рекомбинация в полупроводниках : сб. статей
Выходные данные : М.: Наука, 1972
Колич.характеристики :304 с.: ил., табл.; 20 см
Серия: Современные проблемы физики
Примечания : Библиогр. в конце ст.
Цена : 1.43 р.
ГРНТИ : 29.19.31 + 29.31
УДК : 537.311.322:535
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Физика-- Оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): излучательная рекомбинация--моноатомные полупроводники--полупроводниковые соединения--межпримесная рекомбинация--возбуждение люминесценции--излучение полупроводников
Аннотация: В книге рассмотрено применение принципа детального равновесия для определения спектров и вероятности излучательной рекомбинации по спектрам фундаментального поглощения. Описаны различные методы возбуждения люминесценции.
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 537.3/В 12
Автор(ы) : Вавилов В. С.
Заглавие : Действие излучений на полупроводники : научное издание
Выходные данные : М.: Гос. изд-во физико-мат. лит., 1963
Колич.характеристики :264 с.: ил., табл.; 20 см
Примечания : Библиогр.: с. 257-264 (80 назв.)
Цена : 0.85 р.
ГРНТИ : 29.19.31
УДК : 537.3:621.315
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): неселективное поглощение--электромагнитное излучение--излучательная рекомбинация--быстрые электроны--радиационные дефекты
Аннотация: В книге изложены физические представления о действии электромагнитного и корпускулярных излучений на полупроводники. Рассмотрены процессы поглощения электромагнитного излучения, фотоионизация и ионизация при прохождении заряженных частиц высокой энергии.
Найти похожие

4.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 537(076)/Ю 54
Автор(ы) : Юнович А. Э.
Заглавие : Спецпрактикум по физике полупроводников: учеб. пособие/ А. Э. Юнович, В. В. Остробородова. Ч. 2
Выходные данные : М.: Изд-во Моск. ун-та, 1976
Колич.характеристики :106 с.: ил.; 21 см
Цена : 0.21 р.
ГРНТИ : 29.19.31.01.33
УДК : 537.311.33(076)
Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электрические свойства--туннельные диоды--излучательная рекомбинация--характеристики светодиодов--характеристики транзисторов
Аннотация: Пособие посвящено изучению основных явлений в р-n-переходах (нелинейной зависимости тока от напряжения, выпрямления и усиления сигналов, туннельного эффекта, люминесценции). В работах рассматриваются характеристики полупроводниковых приборов, основанных на этих явления (обычных и туннельных диодов, светодиодов, транзисторов).
Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 535/М 93
Автор(ы) : Мушинский В. П., Караман М. И.
Заглавие : Фотоэлектрические и люминесцентные свойства халькогенидов галлия и индия : монография
Выходные данные : Кишинев: Изд-во "Штиинца", 1975
Колич.характеристики :80 с.: ил., табл.; 22 см
Коллективы : Кишиневский Ордена Труд. Красного Знамени гос. ун-т им. В. И. Ленина, М-во нар. образования Молд. ССР (Кишинев)
Примечания : Библиогр.: с. 71-77 (147 назв.)
Цена : 0.46 р.
ГРНТИ : 29.31
УДК : 535.37
Предметные рубрики: Физика-- Оптика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): фотоэлектрические явления--спектральные характеристики--излучательная рекомбинация--фотолюминесценция кристаллов--халькогениды галлия
Аннотация: В монографии приведены результаты комплексного исследования фотоэлектрических и фотолюминесцентных свойств кристаллов халькогенидов галлия и индия в широком температурном интервале.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)