| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>A=Чистяков, Ю. Д.$<.>)
Общее количество найденных документов : 5
Показаны документы с 1 по 5
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382/М 96
Автор(ы) : Мьюрарка Ш.
Заглавие : Силициды для СБИС
Выходные данные : М.: Мир, 1986
Колич.характеристики :176 с.: ил.; 21см
Примечания : Пред.указ.с.:171
Цена : 1.80 р.
ГРНТИ : 47.33.31
УДК : 621.382.049.77+661.685
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные схемы-- СБИС
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): алюминиды--бориды--вжигание паст--диэлектрическая прочность окисла--карбиды--мелкозалегающие контакты--металлизация--окисление кремния--окислы--переход контакта--сопротивление--цирконий--химическая активность--интегральные схемы--сбис
Аннотация: Рассмотрены и обобщены результаты исследований электрических,термодинамических и механических свойств силицидов-соединений кремния с переходными металлами.Описываются методы использования силицидов в технологии сверхбольших интегральных схем,приведены конкретные примеры использования силицидной технологии при создании полупроводниковых электронных приборов.
Найти похожие

2.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 621.382/Т 38
Автор(ы) :
Заглавие : Технология СБИС: в 2 кн./ под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. Кн. 1
Выходные данные : М.: Мир, 1986
Колич.характеристики :404 с.: ил.; 23см
Примечания : Библиогр.: с. 400-402
Цена : 3.00 р.
ГРНТИ : 47.33.31
УДК : 621.382.049.77.002
ББК : 31.233
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- СБИС
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--сбис--кремниевые ис--монокристаллы кремния--эпитаксиальные слои--осаждение пленок--термическое окисление--окисление--диффузия--ионная имплантация--геттерирование--литография
Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов.
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 621.382(075)/Ч-68
Автор(ы) : Чистяков Ю. Д., Райнова Ю. П.
Заглавие : Физико-химические основы технологии микроэлектроники : учеб. пособие для вузов
Выходные данные : М.: Металлургия, 1979
Колич.характеристики :408 с.: ил.; 20см
Цена : 1.10 р.
ГРНТИ : 47.33.31.01.33
УДК : 621.382-181.48:537.311.33(075)
Предметные рубрики: Электроника-- Микроэлектроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксия--автоэпитаксия--полирование--легирование--процессы разрушения (физ. хим.)--травление--сварка--спайка
Аннотация: Пособие предназначено для студентов вузов, изучающих технологию микроэлектроники, а также конструирование и технологию радиотехнических микроэлектронных устройств. Изложены физико- химические основы процессов эпитаксии и получения тонких пленок, сварки и пайки, механической обработки, очистки поверхности материалов, а также легирования, модифицирования и фотолитографии.
Найти похожие

4.

Вид документа : Многотомное издание
Шифр издания : 621.382/Т 38
Автор(ы) :
Заглавие : Технология СБИС: в 2 кн./ под ред. С. Зи [и др.] ; пер. с англ. В. Н. Лейкина. Кн. 2
Выходные данные : М.: Мир, 1986
Колич.характеристики :453 с.: ил.; 21 см
Примечания : Библиогр.: с. 437-438
Цена : 2.30 р.
ГРНТИ : 47.33.31
УДК : 621.382.049.77.002
Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- СБИС
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): ионно-плазменная обработка--металлизация--биполярная технология--сухое травление--герметизация--травление
Аннотация: В книге 2 рассмотрены вопросы ионно-плазменной технологии применительно к процессам удаления вещества, металлизации ИС, моделирования основных технологических процессов формирования ИС. Описаны основные технологические схемы изготовления элементов СБИС, методы исследования и контроля технологических процессов, герметизация готовых ИС, тестирование и надежность готовых ИС.
Найти похожие

5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 22.379
Автор(ы) : Хейванг В., Биркхольц У., Айнцингер Р.
Заглавие : Аморфные и поликристаллические полупроводники
Выходные данные : Москва: Мир, 1987
Колич.характеристики :160 с.: ил.
Цена : 1.60 р.
ББК : 22.379
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): аморфные полупроводники --варисторы--поликристаллические полупроводники--термисторы--термоэлектрические элементы
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)