Учебная литература, A877552-ОХФ, A877553-ОХФ-ЧЗ-4, A877554-ОХФ-ЧЗ-4, Широкозонные полупроводники [Текст] : учеб. пособие для студентов вузов по направлению "Техническая физика" / Ю. Г. Шретер [и др.] ; . - Санкт-Петербург : Наука, 2001. - 123, [5] с. : ил., табл. - (Новые разделы физики полупроводников). - Библиогр. - ISBN 5-02-024959-9 (в пер.) : 35.00 р. Федер. целевая прогр."Гос. поддержка интеграции высш. образования и фундам. науки"
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): широкозонные полупроводники -- полупроводниковые материалы -- пленочные технологии -- нитрид галлия -- алюминий -- индий -- светодиоды -- лазеры -- СВЧ-приборы -- акустоэлектронные приборы Доп. точки доступа: Шретер, Ю. Г. Ребане, Ю. Т. Зыков, В. А. Сидоров, В. Г. Экземпляры всего: 12 ОХФ (1), ОХФ-ЧЗ-4 (2), ОУОЕН (9) |
9925/Р-ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд) Сергеев, Сергей Алексеевич. Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Рукопись] : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177 л. + 1 автореф. - Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.). - ISBN [Б. и.] (в пер.) Приложение: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - ISBN [Б. и.]. Шифр 829874
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Приложение:Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев Доп. точки доступа: Михайлов, Александр Иванович Экземпляры всего: 1 ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд) (1) |
A606628-ОХФ Сергеев, Сергей Алексеевич. Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN [Текст] : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов ; Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского. - Саратов : [б. и.], 2010. - 18, [1] с. - Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.). - ISBN [Б. и.] Издание является приложением к документу: Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов. - Саратов : [б. и.], 2010. - 177. - ISBN [Б. и.]. Шифр 778942
Рубрики: радиотехника.электроника--полупроводниковая электроника Кл.слова (ненормированные): твердотельная электроника -- полупроводниковые структуры -- полупроводники -- отрицательная дифференциальная проводимость -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие -- диффузия -- дисперсия -- тонкие пленки -- миллиметровый диапазон -- арсенид галлия -- фосфид индия -- нитрид галлия. - Является приложением к Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010 / С. А. Сергеев ; науч. рук. А. И. Михайлов\par Доп. точки доступа: Михайлов, Александр Иванович Экземпляры всего: 1 ОХФ (1) |