| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


Электронный каталог - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :2
 В других БД по вашему запросу найдено:Публикации учёных СГУ (1)Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) (2)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=отрицательная дифференциальная проводимость<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 778942 рукописный текст
Автор(ы) : Сергеев, Сергей Алексеевич
Заглавие : Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01 : защищена 21.10.2010
Выходные данные : Саратов: [б. и.], 2010
Колич.характеристики :177 л. + 1 автореф.
Коллективы : Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Примечания : Библиогр.: л. 158-171 (226 назв.)
ISBN (в пер.), Цена [Б. и.]
УДК : 621.382(043.3)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердотельная электроника--полупроводниковые структуры--полупроводники--отрицательная дифференциальная проводимость--волны пространственного заряда--параметрическое взаимодействие--диффузия--дисперсия--тонкие пленки--миллиметровый диапазон--арсенид галлия--фосфид индия--нитрид галлия
Экземпляры :ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд)(1)
Свободны : ОХФ-ЧЗ-3(Дисс. фонд)(1)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 829874
Автор(ы) : Сергеев, Сергей Алексеевич
Заглавие : Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN : автореф. дис. ... канд. физ.-мат. наук : 05.27.01
Выходные данные : Саратов: [б. и.], 2010
Колич.характеристики :18, [1] с
Коллективы : Сарат. гос. ун-т им. Н. Г. Чернышевского
Примечания : Библиогр.: с. 17-18 (38 назв.)
ISBN, Цена [Б. и.]
УДК : 621.382(043.3)
Предметные рубрики: радиотехника.электроника-- полупроводниковая электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): твердотельная электроника--полупроводниковые структуры--полупроводники--отрицательная дифференциальная проводимость--волны пространственного заряда --параметрическое взаимодействие--диффузия--дисперсия--тонкие пленки--миллиметровый диапазон--арсенид галлия--фосфид индия--нитрид галлия
Экземпляры :ОХФ(1)
Свободны : ОХФ(1)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)