Yafarov , R. K. (д-р физ.-мат. наук, профессор). The Reception and the Scaling in Microwave Gaseous Discharge Plasma of Nanocrystalline and Composite Silicon – Carbon Nanomaterials, the Creation on their Basis of Low Dimension Systems for Field Displays, Solar Power Engineering [Текст] / R. K. Yafarov > // The 20 th ISTC-Korea workshop : Сеул, 15 сент. 2009. - Сеул : Б. и., 2009. - С. 67-73 Рубрики: физика ДОКУМЕНТ ПРОСМОТРЕН DE VISU: НЕТ |
Shanygin , V. Y. Nanomorphological characteristics of the single-crystal Si(100) surface subjected to microwave plasma processing at weak adsorption [Текст] / V. Y. Shanygin , R. K. Yafarov > // Technical Physics. - 2013. - Т. 58, № 4. - P. 557-562. - Оригинальную версию см.: Журнал технической физики. 2013. Т. 83. № 4. С. 92-98. Рубрики: Физика ДОКУМЕНТ ПРОСМОТРЕН DE VISU: Доп. точки доступа: Yafarov , R. K. (д-р физ.-мат. наук, профессор) Яфаров, Равиль Кяшафович |
Klimova, S. A. (доцент). Influence of Microwave Plasma Microprocessing on the Electronic Properties of the (100)Si Surface [Текст] / S. A. Klimova, R. K. Yafarov > // Technical Physics. - 2014. - Vol. 59, no. 3. - С. 411-415. - Оригинальная версия: Журнал технической физики. 2014. Т. 84. № 3. С. 103-107. Рубрики: физика ДОКУМЕНТ ПРОСМОТРЕН DE VISU: НЕТ Доп. точки доступа: Yafarov , R. K. (д-р физ.-мат. наук, профессор) Яфаров, Равиль Кяшафович |
Yafarov , R. K. (д-р физ.-мат. наук, профессор). Surface morphological instability of silicon (100) crystals under microwave ion physical etching [Текст] / R. K. Yafarov , V. Y. Shanygin > // Physics of the Solid State. - 2016. - Vol. 58, no. 2. - С. 360-363, DOI 10.1134/S1063783416020347 . - ISSN 1063-7834. - ISSN 1090-6460 Рубрики: физика ДОКУМЕНТ ПРОСМОТРЕН DE VISU: НЕТ Доп. точки доступа: Shanygin , V. Y. Шаныгин В. Я. |