| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


ЭБС "ЛАНЬ" - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>KL=эффект туннельный<.>)
Общее количество найденных документов : 3
Показаны документы с 1 по 3
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : RU-LAN-BOOK-297
Автор(ы) : Паршаков А. Н.
Заглавие : Введение в квантовую физику : учебное пособие . -1-е изд.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2010
Колич.характеристики :352 с
Примечания : Книга из коллекции Лань - ФизикаДопущено Научно-методическим советом по физике Министерства образования и науки Российской Федерации в качестве учебного пособия для студентов высших учебных заведений, обучающихся по техническим направлениям подготовки и специальностям
ISBN, Цена 978-5-8114-0982-2: Б.ц.
УДК : 535.14(075.8)
ББК : 22.31я73
Предметные рубрики: Физика-- Квантовая механика
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): атом--атом строение--барьер--блох--блоха теорема--бозе--бозе - эйнштейна распределение--боте опыт--бройля гипотеза--гармонический--гармонический осциллятор--генерация джозефеновсая--гетероструктура--джозефсон--диод--дирак--дырка--излучение--излучение спектр--излучение тепловое--инжекционные лазеры--инжекционный--интерферометр--квазиуровень--квант--квантование--квантование магнитного потока--квантовая--квантовая механика--квантовая физика--квантовые распределения--квантовые числа--классическая физика--комптон--комптона эффект--кристаллическая--лазер--лазер инжекционный--лазерный--лазеры--магнитный--менделеев--механика квантовая (физика)--молекула--осциллятор--паули--паули принцип--переход--периодическая--полупроводник--полупроводники--потенциальный--поток--примесная--принцип паули--проводимость--распределение--решетка--решетка кристаллическая--решетка трехмерная--сверхпроводимость--световой--свойство волновое--система--собственная--спектр--спин--теорема блоха--тепловое--тепловое излучение--техника измерительная (физика)--техника электронная (основы)--транзистор--туннельный--учебник и пособие *--ферми--ферми - дирака распределение--фермион--физика (механика)--физика атомов и молекул--физика квантовая (основы)--физика твердого тела--фонон--фотон--фотоэффект--частица--шокли--шредингера--шредингера уравнение--эйнштейн--электрон--электропроводимость--электропроводность металлов--эффект--эффект комптона--эффект туннельный--яма
Аннотация: В пособии рассмотрены основные проблемы классической физики, решение которых привело к созданию современной квантовой физики. Изложены основные принципы и аппарат квантовой механики, физики твердого тела, рассмотрены макроскопические проявления квантовых законов проводимости твердых тел и их применение в электронной и измерительной технике. К каждой рассматриваемой теме прилагаются как чисто учебные задачи, так и задачи повышенного уровня сложности. Задачи тесно связаны с основным текстом и часто являются его развитием и дополнением. Предназначено для студентов технических специальностей технических вузов, а также для преподавателей общей физики.
Перейти к внешнему ресурсу:  Ссылка на документ в ЭБС Лань    ID= 1_cid=25&pl1_id=297 (дата размещения: 26.02.2019),
Перейти к внешнему ресурсу:  Обложка книги.    ID= 297 (дата размещения: 26.02.2019)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : RU-LAN-BOOK-648
Автор(ы) : Шалимова К. В.
Заглавие : Физика полупроводников : учебник . -4-е изд., стер.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2010
Колич.характеристики :384 с
Примечания : Книга из коллекции Лань - Физика
ISBN, Цена 978-5-8114-0922-8: Б.ц.
УДК : 621.315.592(075)
ББК : 22.379я73
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высшее образование--полупроводники--физика полупроводников--учебники--учебные издания--атом--бриллюэн--бриллюэна зоны--ганна--ганна эффект--генерация--гетеропереход--дембера эффект--диод--диод туннельный--диффузия--диффузия (исследования)--дрейф--дырка--заряд--зонная--зонная теория полупроводников--излучение--ионизация--ионизация ударная--квазиимпульс--колебание--колебания атомов кристаллической решетки--контакт--кристаллическая--люминесценция--люминесценция полупроводников--носитель--отражение--поглощение--полупроводник некристаллический--полупроводниковая электроника--примесные--примесный--рассеяние электронов--резонанс--резонанс циклотронный--рекомбинация--рекомбинация электронов--релаксация--решетка--решетки кристаллические (физика)--спектр--теория--теория колебаний--теория электропроводности--теплоемкость кристаллической решетки--ток--туннельный--ударная--ударная ионизация--уровень--учебник и пособие--физика полупроводников (основы)--фонон--фотопроводимость--фотоэлектроника--фотоэффект--холла--холла эффект--циклотронный--шоттки--шредингера--шредингера уравнение--экситонный--электрон--электроны--электропроводность--электропроводность (измерения)--электропроводность полупроводников--эффект--эффект магниторезистивный--эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
Перейти к внешнему ресурсу:  Ссылка на документ в ЭБС Лань    ID= 1_cid=25&pl1_id=648 (дата размещения: 26.02.2019),
Перейти к внешнему ресурсу:  Обложка книги.    ID= 648 (дата размещения: 26.02.2019)
Найти похожие

3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : RU-LAN-BOOK-5856
Автор(ы) : Смирнов Ю. А., Соколов С. В., Титов Е. В.
Заглавие : Физические основы электроники : монография . -2-е изд., испр.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2013
Колич.характеристики :560 с
Примечания : Книга из коллекции Лань - Инженерно-технические науки
ISBN, Цена 978-5-8114-1369-0: Б.ц.
ББК : 32.85я73
Предметные рубрики: Инженерно-технические науки-- Электроника
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): p-n-переходы--биполярные транзисторы--диод--диэлектрические пленки--избирательные усилители--металлические пленки--микросхема интегральная--микроэлектроника--микроэлектронные структуры--операционные усилители--пленка диэлектрическая--пленка металлическая--пленочные структуры--полупроводники--полупроводниковая электроника--полупроводниковые диоды--полупроводниковые приборы--полупроводниковые резисторы--полупроводниковые структуры--полупроводниковые структуры пленочные структуры--пособия для бакалавров--пособия для магистров--приборы полупроводниковые--процесс кинетический--резистор--система тонкопленочная--структура микроэлектронная--структуры пленочные--структуры полупроводниковые--техника--тиристор--тиристоры--тонкие пленки--транзистор--транзисторные каскады--транзисторные усилители--униполярные транзисторы--усилители мощности--усилители напряжения--усилители постоянного тока--усилитель операционный--усилительные каскады--учебные пособия--физика полупроводников--физические методы электроники--физические основы электроники--электроника--электроника (основы)--электроника полупроводниковая--электронно-дырочные переходы--электрофизика--эмиссия туннельная--эффект туннельный
Аннотация: В книге изложены историческая справка физики становления и развития полупроводниковой электроники, физические основы полупроводниковых и пленочных структур, физические основы построения элементной базы приборов и устройств на ее основе, их упрощенного математического анализа. Пособие содержит контрольные вопросы, задачи с решениями и рекомендуемую литературу для углубленного изучения материала. Предназначено для подготовки бакалавров, магистров и специалистов направлений: «Электроэнергетика и электротехника», «Электроника и наноэлектроника», «Радиотехника», «Информационные технологии и системы связи», «Конструирование технологии и микросистемная техника».
Перейти к внешнему ресурсу:  Ссылка на документ в ЭБС Лань    ID= 1_cid=25&pl1_id=5856 (дата размещения: 26.02.2019),
Перейти к внешнему ресурсу:  Обложка книги.    ID= 5856 (дата размещения: 26.02.2019)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)