| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


ЭБС "ЛАНЬ" - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Поисковый запрос: (<.>KL=эффект магниторезистивный<.>)
Общее количество найденных документов : 1
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : RU-LAN-BOOK-648
Автор(ы) : Шалимова К. В.
Заглавие : Физика полупроводников : учебник . -4-е изд., стер.
Выходные данные : Санкт-Петербург: Лань, 2010
Колич.характеристики :384 с
Примечания : Книга из коллекции Лань - Физика
ISBN, Цена 978-5-8114-0922-8: Б.ц.
УДК : 621.315.592(075)
ББК : 22.379я73
Предметные рубрики: Физика-- Физика твердого тела
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): высшее образование--полупроводники--физика полупроводников--учебники--учебные издания--атом--бриллюэн--бриллюэна зоны--ганна--ганна эффект--генерация--гетеропереход--дембера эффект--диод--диод туннельный--диффузия--диффузия (исследования)--дрейф--дырка--заряд--зонная--зонная теория полупроводников--излучение--ионизация--ионизация ударная--квазиимпульс--колебание--колебания атомов кристаллической решетки--контакт--кристаллическая--люминесценция--люминесценция полупроводников--носитель--отражение--поглощение--полупроводник некристаллический--полупроводниковая электроника--примесные--примесный--рассеяние электронов--резонанс--резонанс циклотронный--рекомбинация--рекомбинация электронов--релаксация--решетка--решетки кристаллические (физика)--спектр--теория--теория колебаний--теория электропроводности--теплоемкость кристаллической решетки--ток--туннельный--ударная--ударная ионизация--уровень--учебник и пособие--физика полупроводников (основы)--фонон--фотопроводимость--фотоэлектроника--фотоэффект--холла--холла эффект--циклотронный--шоттки--шредингера--шредингера уравнение--экситонный--электрон--электроны--электропроводность--электропроводность (измерения)--электропроводность полупроводников--эффект--эффект магниторезистивный--эффект туннельный
Аннотация: В учебнике рассмотрены модельные представления о механизме электропроводности, даны основы зонной теории полупроводников и теории колебаний кристаллической решетки, изложена статистика электронов и дырок, рассмотрены механизмы рассеяния носителей заряда, генерация и рекомбинация носителей заряда, диффузия и дрейф неравновесных носителей заряда, изложены контактные и поверхностные явления в полупроводниках, их оптические и фотоэлектрические свойства. Учебник предназначен для студентов физических и технических специальностей, может быть полезен инженерно-техническим работникам.
Перейти к внешнему ресурсу:  Ссылка на документ в ЭБС Лань    ID= 1_cid=25&pl1_id=648 (дата размещения: 26.02.2019),
Перейти к внешнему ресурсу:  Обложка книги.    ID= 648 (дата размещения: 26.02.2019)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)