Новые поступления (книга в стадии обработки) Данилов, В. С. Анализ работы и применение активных полупроводниковых элементов [Электронный ресурс] : Учебное пособие / В. С. Данилов, Ю. Н. Раков. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2014. - 418 с. - ISBN 978-5-7782-2406-3 : Б. ц. Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
Кл.слова (ненормированные): анализ работы -- активный элемент -- полупроводниковый элемент -- биполярный транзистор Аннотация: В работе представлены фундаментальные понятия и уравнения физики твердого тела; дан анализ работы биполярного транзистора в режимах большого и малого сигналов. Рассмотрены процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на GaAs, применяемых в СВЧ-диапазоне; раскрыта электрофизика селективно легированных гетероструктурных транзисторов. Приведены новые отечественные и зарубежные разработки, проведено их сравнение по основным характеристикам. Пособие адресовано прежде всего магистрантам и аспирантам, уже знакомым с твердотельными устройствами. Доп. точки доступа: Раков, Ю. Н. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Данилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 3 [Электронный ресурс] : Учебное пособие / В. С. Данилов. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2009. - 80 с. - ISBN 978-5-7782-1284-8 : Б. ц. Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
Кл.слова (ненормированные): анализ процесса -- полупроводниковое устройство -- анализ тока Аннотация: В третьей части учебного пособия рассмотрены наиболее важные процессы, происходящие в МОП-транзисторах. Адресовано студентам, специализирующимся в области создания полупроводниковых устройств. |
Новые поступления (книга в стадии обработки) Данилов, В. С. Анализ процессов в полупроводниковых устройствах. Часть 4 [Электронный ресурс] : Учебное пособие / В. С. Данилов, Ю. Н. Раков. - Новосибирск : Новосибирский государственный технический университет, 2011. - 79 с. - ISBN 978-5-7782-1618-1 : Б. ц. Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
Кл.слова (ненормированные): анализ процессов -- полупроводниковое устройство -- полевой СВЧ-транзистор -- барьер Шоттки Аннотация: В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии. Работа подготовлена на кафедре конструирования и технологии радиоэлектронных средств. Доп. точки доступа: Раков, Ю. Н. |