Новые поступления (книга в стадии обработки) Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [Электронный ресурс] / Ф. А. Кузнецов [и др.]. - Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, 2020-06-05. - Новосибирск : Сибирское отделение РАН, 2013. - 176 с. - ISBN 978-5-7692-1272-7 : Б. ц. Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
Кл.слова (ненормированные): химическое осаждение -- наноэлектроника -- химия твердого тела Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники. Доп. точки доступа: Кузнецов, Ф. А. Воронков, М. Г. Борисов, В. О. Игуменов, И. К. Каичев, В. В. Кеслер, В. Г. Кириенко, В. В. Кичай, В. Н. Косинова, М. Л. Кривенцев, В. В. Лебедев, М. С. Лис, А. В. Морозова, Н. Б. Никулина, Л. Д. Рахлин, В. И. Румянцев, Ю. М. Смирнова, Т. П. Суляева, В. С. Сысоев, С. В. Титов, А. А. Файнер, Н. И. Цырендоржиева, И. П. Чернявский, Л. И. Яковкина, Л. В. Смирнова, Т. П. |