Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

ЭБС "IPRBOOKS" - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

ЭБС "IPRBOOKS"

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :1

В других БД по вашему запросу найдено:

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) (1)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: <.>A=Суляева, $<.>

Общее количество найденных документов : 1

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [Электронный ресурс] / Ф. А. Кузнецов [и др.]. - Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники, 2020-06-05. - Новосибирск : Сибирское отделение РАН, 2013. - 176 с. - ISBN 978-5-7692-1272-7 : Б. ц.
Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.

УДК

539.2

ББК 24.5

Кл.слова (ненормированные):
химическое осаждение -- наноэлектроника -- химия твердого тела
Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Перейти к внешнему ресурсу Перейти к просмотру издания

Доп. точки доступа:
Кузнецов, Ф. А.
Воронков, М. Г.
Борисов, В. О.
Игуменов, И. К.
Каичев, В. В.
Кеслер, В. Г.
Кириенко, В. В.
Кичай, В. Н.
Косинова, М. Л.
Кривенцев, В. В.
Лебедев, М. С.
Лис, А. В.
Морозова, Н. Б.
Никулина, Л. Д.
Рахлин, В. И.
Румянцев, Ю. М.
Смирнова, Т. П.
Суляева, В. С.
Сысоев, С. В.
Титов, А. А.
Файнер, Н. И.
Цырендоржиева, И. П.
Чернявский, Л. И.
Яковкина, Л. В.
Смирнова, Т. П.
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)