Web ИРБИС


	\| начало \| написать нам \| в избранное \| сделать стартовой \|

ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных

ЭБС "IPRBOOKS" - результаты поиска

Виды поиска

Электронный каталог

ЭБС "ЛАНЬ"

ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")

ЭБС "IPRBOOKS"

Электронная библиотека

Известные деятели культуры в Саратовской губернии

Работы В. А. Артисевич и литература о ней

Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья

Публикации учёных СГУ

Краеведческий обзор

Поступления журналов в ЗНБ СГУ

БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ

БД выпускных квалификационных работ

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)

Область поиска

В текущей базе данных найдено документов :1

В других БД по вашему запросу найдено:

Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) (13)

Формат представления найденных документов:
полный	информационный	краткий

Поисковый запрос: <.>A=Рахлин, $<.>

Общее количество найденных документов : 1

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.2/Ф 94
Автор(ы) : Кузнецов Ф. А., Воронков М. Г., Борисов В. О., Игуменов И. К., Каичев В. В., Кеслер В. Г., Кириенко В. В., Кичай В. Н., Косинова М. Л., Кривенцев В. В., Лебедев М. С., Лис А. В., Морозова Н. Б., Никулина Л. Д., Рахлин В. И., Румянцев Ю. М., Смирнова Т. П., Суляева В. С., Сысоев С. В., Титов А. А., Файнер Н. И., Цырендоржиева И. П., Чернявский Л. И., Яковкина Л. В.,
Заглавие : Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов, М. Г. Воронков, В. О. Борисов и др. . -Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Выходные данные : Новосибирск: Сибирское отделение РАН, 2013
Колич.характеристики :176 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 978-5-7692-1272-7: Б.ц.
УДК : 539.2
ББК : 24.5
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химическое осаждение--наноэлектроника--химия твердого тела
Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Перейти к внешнему ресурсу: Перейти к просмотру издания ID= 32819 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие

Стандартный (по одному полю)

По словарю (по одному полю)

Профессиональный (по нескольким полям со словарями)

Распределенный (г. Саратов)

Расширенный

Авторизация

Фамилия

Пароль

Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru

© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)