| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


ЭБС "IPRBOOKS" - результаты поиска

Виды поиска
Электронный каталог
ЭБС "ЛАНЬ"
ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М")
ЭБС "ЮРАЙТ"
ЭБС "АЙБУКС"
ЭБС "РУКОНТ"
ЭБС "IPRBOOKS"
ЭБС "BOOK.ru"
Электронная библиотека
Известные деятели культуры в Саратовской губернии
Работы В. А. Артисевич и литература о ней
Издания вузовских библиотек Среднего и Нижнего Поволжья
Публикации учёных СГУ
Краеведческий обзор
Поступления журналов в ЗНБ СГУ
БД коллекций в фонде ЗНБ СГУ
БД выпускных квалификационных работ
Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС)
Область поиска
В текущей базе данных найдено документов :7
 В других БД по вашему запросу найдено:Электронный каталог (13)ЭБС "РУКОНТ" (5)Сводный каталог библиотек (СГУ, СГТУ, ЦБС) (14)
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=539.21<.>)
Общее количество найденных документов : 7
Показаны документы с 1 по 7
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.21/И 26
Автор(ы) : Игнатов А. Н., Решетнева И. В.,
Заглавие : Химико-технологические основы микро и наноэлектроники : Учебное пособие/ А. Н. Игнатов, И. В. Решетнева . -Химико-технологические основы микро и наноэлектроники
Выходные данные : Новосибирск: Сибирский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2011
Колич.характеристики :213 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 2227-8397: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 32.85
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): химико-технологическая основа--микроэлектроника--наноэлектроника--электроактивный полимер
Аннотация: Рассматриваются история и технологические основы электроники, свойства химических элементов и их соединений, основные технологические процессы микро и наноэлектроники, основные виды нанотехнологий и их изделий, а также нанотехнологическое оборудование. Для студентов всех форм обучения по направлениям 210400-«Телекоммуникации», 210600 «Нанотехнологии», 210100 «Электроника и наноэлектроника», 211000 «Конструирование и технология электронных средств», 210700 «Инфокоммуникационные технологии и системы связи».
Перейти к внешнему ресурсу:  Перейти к просмотру издания    ID= 45490 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие
2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.21/С 95
Автор(ы) : Сысоев И. А., Лунин Л. С.,
Заглавие : Градиентная эпитаксия для получения микро- и наноструктур твердых растворов АIIIВV через тонкую газовую зону : Монография/ И. А. Сысоев, Л. С. Лунин
Выходные данные : Ставрополь: Северо-Кавказский федеральный университет, 2015
Колич.характеристики :97 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 978-5-9296-0785-1: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.36
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): градиентная эпитаксия--микроструктура--наноструктура--твердый раствор--газовая фаза--тонкая зона--свойство гетероструктуры--многокомпонентная гетероструктура--термодинамический анализ--массоперенос
Аннотация: В монографии представлены физико-химические основы градиентной эпитаксии (ГЭ) в газовой фазе через тонкую зону применительно к многокомпонентным соединениям АIIIВV. Приводится методика и алгоритм расчета по закономерностям роста эпитаксиальных слоев для многокомпонентных твердых растворов соединений АIIIВV. Обсуждаются возможности получения различных микро- и наноструктур соединений АIIIВV с помощью ГЭ через газовую зону. Рассмотрено влияние различных технологических параметров (температура, температурный градиент, толщина зазора между источником и подложкой и т. д.) на свойства получаемых гетероструктур. Монография адресована магистрам, аспирантам и преподавателям, а также исследователям, работающими в области технологии полупроводниковых материалов соединений А3В5 с микро- и наноструктурой.
Перейти к внешнему ресурсу:  Перейти к просмотру издания    ID= 62929 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие
3.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.21/Г 61
Автор(ы) : Головкина М. В.,
Заглавие : Нанофотоника и физика наноструктур : Сборник задач/ М. В. Головкина
Выходные данные : Самара: Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017
Колич.характеристики :33 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 2227-8397: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанофотоника--физика наноструктуры--фотонный кристалл--полупроводник--ферромагнетик--соотношение крамерса-кронига--наноплазмоника--квазичастица--теория друде--плазмон
Аннотация: Сборник задач рассчитан на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработан в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
Перейти к внешнему ресурсу:  Перейти к просмотру издания    ID= 75389 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие
4.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.21/Г 61
Автор(ы) : Головкина М. В.,
Заглавие : Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики : Сборник задач/ М. В. Головкина
Выходные данные : Самара: Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017
Колич.характеристики :29 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 2227-8397: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотехнология--фотоника--оптоинформатика--уравнение шредингера--квазичастица--теория друде--плазмон--квантовый конфайнмент--фонон--потенциальная яма
Аннотация: Сборник задач рассчитан на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработан в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
Перейти к внешнему ресурсу:  Перейти к просмотру издания    ID= 75422 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие
5.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.21/Г 61
Автор(ы) : Головкина М. В.,
Заглавие : Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики : Учебное пособие/ М. В. Головкина
Выходные данные : Самара: Поволжский государственный университет телекоммуникаций и информатики, 2017
Колич.характеристики :140 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 2227-8397: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): нанотехнология--фотоника--оптоинформатика--квантовая механика--движение наночастицы--уравнение шредингера--квантование энергии--потенциальная яма--квазичастица--фотонный кристалл
Аннотация: Книга представляет собой учебное пособие по дисциплине «Физические основы нанотехнологий, фотоники и оптоинформатики», рассматривающий основные явления, принципы и экспериментальные достижения нанофотоники. В книге на высоком физико-математическом уровне описываются вопросы распространения и взаимодействия света в пространственно-ограниченных наноструктурах, рассматриваются свойства различных наноструктурированных материалов, а также вопросы их практического использования. Учебное пособие рассчитано на магистрантов первого года обучения направления 12.04.03 «Фотоника и оптоинформатика» и разработано в соответствии с федеральным государственным образовательным стандартом высшего образования по направлению подготовки 12.04.03 Фотоника и оптоинформатика (уровень магистратуры) от 30.11.2014. Для магистрантов, аспирантов, изучающих вопросы оптической связи, а также для инженерно-технических работников.
Перейти к внешнему ресурсу:  Перейти к просмотру издания    ID= 75423 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие
6.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.21/Н 62
Автор(ы) : Никифоров С. В., Кортов В. С.,
Заглавие : Радиационно-индуцированные процессы в широкозонных нестехиометрических оксидных диэлектриках / С. В. Никифоров, В. С. Кортов
Выходные данные : Москва: Техносфера, 2017
Колич.характеристики :272 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 978-5-94836-490-2: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.379
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): радиационно-индуцированный процесс--нестехиометрическая оксидная диэлектрика--ионизация--заряд--люминесценция
Аннотация: В книге рассмотрены радиационно-индуцированные процессы, возникающие при взаимодействии ионизирующих излучений с веществом, положенные в основу дозиметрических измерений. Особое внимание уделено методам твердотельной дозиметрии на основе термостимулированной люминесценции. Описаны механизмы образования анионных дефектов в объемных и наноструктурных широкозонных оксидных диэлектриках, проведено сравнение их люминесцентных и дозиметрических свойств. Приведен обзор и анализ различных типов кинетических моделей термо- стимулированной люминесценции, в том числе основанных на конкурирующем влиянии глубоких ловушек. Описаны эффекты сенситизации люминесценции в широкозонных оксидах, обусловленные изменением заселенности глубоких центров. Представлены результаты, доказывающие решающую роль процессов температурно-зависимого захвата носителей заряда глубокими ловушками в формировании люминесцентных и дозиметрических свойств данного класса материалов. Приводятся сведения о дозиметрических характеристиках и применении термолюминесцентных детекторов ионизирующих излучений ТЛД-500К на основе анион-дефектного оксида алюминия. Книга адресована широкому кругу читателей – специалистам по физике конденсированного состояния, радиационной физике диэлектрических материалов, инженерам, работающим в области индивидуальной, медицинской и технологической дозиметрии и радиационного мониторинга. Она может быть также полезна аспирантам и студентам старших курсов.
Перейти к внешнему ресурсу:  Перейти к просмотру издания    ID= 84702 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие
7.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 539.21/Ф 34
Автор(ы) : Федотов А. К.,
Заглавие : Физическое материаловедение. Часть 1. Физика твердого тела : Учебное пособие/ А. К. Федотов . -Физическое материаловедение. Часть 1. Физика твердого тела
Выходные данные : Минск: Вышэйшая школа, 2010
Колич.характеристики :400 с.
Примечания : Книга находится в премиум-версии ЭБС IPR BOOKS.
ISBN, Цена 978-985-06-1918-1: Б.ц.
УДК : 539.21
ББК : 22.37
Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): физическое материаловедение--физика--твердое тело--атомно-электронное строение--кристаллический материал
Аннотация: Рассмотрены основные положения физики твердого тела. Освещены вопросы, связанные с атомно-электронным строением кристаллических материалов и физикой тех явлений и процессов, которые протекают в атомной и электронной подсистемах твердых тел, с элементами квантовой теории кристаллов. Для студентов, специализирующихся в области теплофизики кристаллических материалов, проблем энергоэффективности и радиационного материаловедения. Будет полезно аспирантам, инженерам и исследователям.
Перейти к внешнему ресурсу:  Перейти к просмотру издания    ID= 20161 (дата размещения: 04.06.2019)
Найти похожие
 
Стандартный (по одному полю)
По словарю (по одному полю)
Профессиональный (по нескольким полям со словарями)
Распределенный (г. Саратов)
Расширенный
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)