| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М") - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полныйинформационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=539.2+621.38<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.
Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Гриценко, В. А.
    Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах [Электронный ресурс] : монография / В.А. Гриценко. - Новосибирск : Издательство СО РАН, 2011. - 158 с. - ISBN 9785769211836 : Б. ц.
УДК
ББК 22.37+32.844.1

Аннотация: Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1 – x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.
Перейти к внешнему ресурсу http://znanium.com/go.php?id=924886


Доп. точки доступа:
Асеев, А.Л.
Найти похожие

2.
Новые поступления (книга в стадии обработки)
    Кузнецов, Ф. А.
    Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники [Электронный ресурс] : монография / Ф.А. Кузнецов. - Новосибирск : Издательство СО РАН, 2013. - 176 с. - ISBN 9785769212727 : Б. ц.
УДК
ББК 24.5

Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Перейти к внешнему ресурсу http://znanium.com/go.php?id=924967


Доп. точки доступа:
Смирнова, Т. П.
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)