| начало | написать нам | в избранное | сделать стартовой |
ДЛЯ РАБОТЫ С БАЗАМИ ОГРАНИЧЕННОГО ДОСТУПА ТРЕБУЕТСЯ АВТОРИЗАЦИЯ
ДАННАЯ ВЕРСИЯ СИСТЕМЫ НЕ ПОДДЕРЖИВАЕТСЯ!!! БАЗЫ НЕ ОБНОВЛЯЮТСЯ!!! ПОЛЬЗУЙТЕСЬ НОВОЙ ВЕРСИЕЙ ПОИСКОВОЙ СИСТЕМЫ!!! >>>

Базы данных


ЭБС "ZNANIUM.com" (ИД "ИНФРА-М") - результаты поиска

Виды поиска

Область поиска
Формат представления найденных документов:
полный информационныйкраткий
Отсортировать найденные документы по:
авторузаглавиюгоду изданиятипу документа
Поисковый запрос: (<.>U=539.2+621.38<.>)
Общее количество найденных документов : 2
Показаны документы с 1 по 2
1.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 924886
Автор(ы) : Гриценко В.А., Асеев А.Л.
Заглавие : Синтез, свойства и применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах : Монография
Выходные данные : Новосибирск: Издательство СО РАН, 2011
Колич.характеристики :158 с.
ISBN, Цена 9785769211836: Б.ц.
УДК : 539.2+621.38
ББК : 22.37+32.844.1
Аннотация: Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al2O3, HfO2, Ta2O5, ZrO2, TiO2, твердые растворы (HfO2)x(Al2O3)1 – x. Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO2, оксинитрида SiOxNy и нитрида Si3N4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.
Перейти к внешнему ресурсу:  Внешний ресурс    ID= 924886 (дата размещения: 14.06.2019)
Найти похожие

2.

Вид документа : Однотомное издание
Шифр издания : 924967
Автор(ы) : Кузнецов Ф.А., Смирнова Т. П.
Заглавие : Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники : Монография
Выходные данные : Новосибирск: Издательство СО РАН, 2013
Колич.характеристики :176 с.
ISBN, Цена 9785769212727: Б.ц.
УДК : 539.2+621.38
ББК : 24.5
Аннотация: В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Перейти к внешнему ресурсу:  Внешний ресурс    ID= 924967 (дата размещения: 14.06.2019)
Найти похожие

 
Авторизация
Фамилия
Пароль
 
Заявка на регистрацию в ЭБС

Возникли проблемы? Пишите на oma@info.sgu.ru
© Международная Ассоциация пользователей и разработчиков электронных библиотек и новых информационных технологий
(Ассоциация ЭБНИТ)