Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 537/Ш 66 Автор(ы) : Шкловский Б. И., Эфрос А. Л. Заглавие : Электронные свойства легированных полупроводников : монография Выходные данные : М.: Наука, 1979 Колич.характеристики :416 с.: ил., табл.; 21 см Серия: Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Примечания : Библиогр.: с. 396-413 (358 назв.) Цена : 2.40 р. ГРНТИ : 29.19.31 УДК : 537.311 Предметные рубрики: Физика-- Полупроводники Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): переход мотта--переход андерсона--модели лифшица--легированные полупроводники--электронные состояния--теория протекания--закон мотта Аннотация: В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Эфрос, А. Л.