Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 621.315/А 85 Заглавие : Арсенид галлия : труды международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США Параллельн. заглавия :Gallium arsenide: Proceedings of the International Symposium organized by The Institute of Physics and The Physical Society in co-operation with The Avionics Laboratory of the U. S. Air Force Выходные данные : М.: Советское радио, 1972 Колич.характеристики :304 с.: ил.; 22 см Примечания : Библиогр. в конце ст. - Тит. л. парал. на англ. яз. Цена : 1.83 р. ГРНТИ : 47.29.37 УДК : 621.315:546 Предметные рубрики: Электротехника-- Электротехнические материалы Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): эпитаксиальная технология--лазеры--фотолюминесценция--приборы свч--эффект ганна--транзисторы--диоды Аннотация: Труды посвящены актуальным проблемам: получение чистого GaAs и эпитаксиальных пленок; методы конструирования, свойства и деградация светодиодов и инжекционных лазеров; технология изготовления, конструкции и параметры СВЧ смесительных диодов с барьером Шоттки, параметрических и умножительных диодов и генераторов на эффекте Ганна. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Визель, А. А.