Вид документа : Многотомное издание Шифр издания : 621.382/Т 38 Автор(ы) : Заглавие : Технология СБИС: в 2 кн./ под ред. С. Зи ; пер. с англ. Ю. Д. Чистякова. Кн. 1 Выходные данные : М.: Мир, 1986 Колич.характеристики :404 с.: ил.; 23см Примечания : Библиогр.: с. 400-402 Цена : 3.00 р. ГРНТИ : 47.33.31 УДК : 621.382.049.77.002 ББК : 31.233 Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- СБИС Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--сбис--кремниевые ис--монокристаллы кремния--эпитаксиальные слои--осаждение пленок--термическое окисление--окисление--диффузия--ионная имплантация--геттерирование--литография Аннотация: Освещены вопросы технологии изготовления кремниевых ИС. В книге 1 рассмотрены вопросы получения монокристаллов кремния, подготовки подложек, выращивания эпитаксиальных слоев, осаждения пленок различных материалов, термического окисления, диффузии, ионной имплантации, а также литографические методы формирования топологических рисунков с субмикронными размерами элементов. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Зи, С. \\ред.\\ Чистяков, Ю. Д. \\пер.\\