Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 621.382/Р 86 Автор(ы) : Румак Н. В. Заглавие : Система кремний-двуокись кремния в МОП-структурах Выходные данные : Минск: Наука и техника, 1986 Колич.характеристики :240 с.: ил.; 21см Коллективы : Физико-технич. ин-т (Минск), Акад. наук Белорус. ССР (Минск) Примечания : Библиогр.: с. 219 Цена : 1.80 р. ГРНТИ : 47.33.31 УДК : 621.382.002 Предметные рубрики: Электроника-- Интегральные микросхемы-- МОП-структуры Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электроника--интегральные микросхемы--мдп-структуры--полупроводниковые приборы--пороговое напряжение--окисные пленки--многослойные структуры--окисление кремния--кремниевые пластины--экзоэлектронная эмиссия--пленки Аннотация: Систематизированны современные представления по теории и практике применения систем кремний-двуокись кремния в технологии изготовления полупроводниковых приборов и интегральных схем на МОП- структурах.Обсуждаются физические механизмы роста пленок двуокиси кремния на кремнии,образования в них характерных дефектов и заряда. Установлены закономерности изменения электрофизических свойств системы кремний-двуокись кремния при выращивании окисных слоев и нанесении на поверхность оксила металлических пленок.Показана их связь со структурными превращениями окисла в переходном слое вблизи кремния. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Колешко, В. М.