Вид документа : Однотомное издание Шифр издания : 621.315/С 38 Заглавие : Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников Выходные данные : Новосибирск: Наука, 1981 Колич.характеристики :231 с.: ил.; 21см Цена : 3.10 р. ГРНТИ : 45.09 УДК : 621.315 Предметные рубрики: Электротехника-- Полупроводники Ключевые слова (''Своб.индексиров.''): электротехника--полупроводники--кристаллизация--пленки--гомоэпитаксия--лимитирующие механизмы--молекулярные пучки--рентгеновская топография--микродефекты Аннотация: Изложены материалы исследований по проблеме получения полупроводниковых кристаллов и пленок. Держатели документа: Саратовский государственный технический университет им. Гагарина Ю. А. Доп. точки доступа: Александров, Л.Н.