Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники
Об издании
В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники.
Библиографическая запись
Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники / Ф. А. Кузнецов, М. Г. Воронков, В. О. Борисов [и др.] ; под редакцией Т. П. Смирнова. — Новосибирск : Сибирское отделение РАН, 2013. — 176 c. — ISBN 978-5-7692-1272-7. — Текст : электронный // Цифровой образовательный ресурс IPR SMART : [сайт]. — URL: https://www.iprbookshop.ru/32819.html (дата обращения: 02.09.2024). — Режим доступа: для авторизир. пользователей
Дополнительно:
РЕКОМЕНДУЕМ К ПРОЧТЕНИЮ
Балыклова К.С., Власов А.М., Гегечкори В.И., Горпинченко Н.В., Карташов В.С., Касумова К.В., Кокорекин В.А., Кузина В.Н., Медведев Ю.В., Передеряев О.И., Печенников В.М., Прокофьева В.И., Раменская Г...
(Лаборатория знаний)
Грекул В.И., Коровкина Н.Л., Богословцев Д.А., Синайская Н.Н.
(Интернет-Университет Информационных Технологий (ИНТУИТ), Ай Пи Ар Медиа)
Кузнецов А.А., Измалков А.В., Кузнецов П.А., Кузьменко Э.Ю., Набоков Л.В.
(Липецкий государственный технический университет, Профобразование)
Малыш М.Н., Ткаченко В.А.
(Проспект Науки)
Гамов Е.С., Кукушкина В.А., Чернышова М.И., Хечиашвили И.Т.
(Липецкий государственный технический университет, Профобразование)
C ЭТОЙ КНИГОЙ ТАКЖЕ ЧИТАЮТ
Воробьев А.А., Будюкин А.М., Кондратенко В.Г., Кононов Д.П., Соболев А.А., Шадрина Н.Ю.
(Профобразование, Ай Пи Ар Медиа)
Харитонов А.М., Харитонов М.И.
(Санкт-Петербургский государственный архитектурно-строительный университет, ЭБС АСВ)
Владимирова С.Б., Гирфанова К.А., Малетина Л.В., Михалёва Е.В., Тюрина И.И., Ярица Л.И., Вовнова И.Г.
(Томский государственный архитектурно-строительный университет, ЭБС АСВ)